La maison mère de CXMT, quatrième mondial de la DRAM, sera cotée le 27 sur le marché STAR
2026-07-26
Le groupe ChangXin Technology doit être coté à Shanghai le 27
Le groupe ChangXin Technology, maison mère de ChangXin Storage Technology (CXMT), sera coté le 27 par introduction en Bourse (IPO) sur le marché STAR de la Bourse de Shanghai, réservé aux entreprises technologiques et émergentes. Le montant levé pourrait atteindre jusqu'à 66,6 milliards de yuans (environ 1 600 milliards de yens). CXMT dispose de la quatrième capacité mondiale de production de DRAM, utilisée notamment dans les ordinateurs, et certaines prévisions le voient se rapprocher du numéro trois américain Micron Technology d'ici fin 2026.
Capacité DRAM au quatrième rang mondial
La DRAM est une mémoire semi-conductrice qui conserve temporairement les données et sert dans une large gamme d'appareils, notamment les serveurs destinés à l'IA, les ordinateurs et les smartphones. La demande progresse à l'échelle mondiale avec la hausse des investissements dans l'IA. Après Samsung Electronics, premier mondial, SK Hynix, deuxième, et Micron, troisième, CXMT détient la quatrième part de capacité.
Dans un rapport publié en juin, Morgan Stanley a estimé que CXMT augmenterait sa capacité de production de DRAM de 388 000 plaquettes par mois sur les cinq années allant de 2023 à 2028, portant la part de l'ensemble des fabricants chinois d'environ 18 % en 2023 à environ 23 % en 2028. L'analyste d'Counterpoint Research, MS Fan, a déclaré le 16 que la capacité mensuelle de CXMT pourrait dépasser 300 000 plaquettes d'ici la fin de l'année et atteindre un niveau proche de celui de Micron.
Un retard technologique persistant
En revanche, CXMT reste en retard sur les grands groupes comme Micron sur le plan technologique. Plus les circuits des semi-conducteurs sont miniaturisés, plus il est possible de produire de mémoire à partir d'une même taille de wafer; pour mesurer la compétitivité, outre la capacité de production, il est donc important de prendre en compte le volume de bits, qui indique la quantité de mémoire pouvant être produite à partir d'un wafer.
M. Fan souligne que CXMT utilise une technologie de fabrication accusant un retard de deux à trois générations sur les fabricants les plus avancés, et que l'écart de volume de bits avec les grands acteurs reste important. Alors que les trois géants Samsung Electronics, SK Hynix et Micron produisent de la DRAM avec le procédé de dernière génération « 1c », CXMT est encore dans une phase de transition depuis « 1a » vers les modèles les plus récents, avec un retard technique de deux générations, soit trois ans.
La localisation des équipements au coeur des enjeux
À l'avenir, l'un des facteurs clés pour savoir si CXMT pourra rattraper les groupes américains et sud-coréens dans la miniaturisation sera l'outil de lithographie à ultraviolet extrême (EUV) utilisé pour la fabrication des semi-conducteurs avancés. L'équipement est fourni par le groupe néerlandais ASML.
Les restrictions à l'exportation vers la Chine visant les outils EUV d'ASML se renforcent. Les Etats-Unis imposent en effet des contrôles à l'exportation vers la Chine sur les technologies de pointe des semi-conducteurs, et les fabricants chinois de puces ripostent en localisant la production de leurs équipements.
L'analyste des semi-conducteurs Jim Handy relève que des ingénieurs de CXMT viennent de l'ancien fabricant européen de DRAM Qimonda. Selon lui, cette expérience dans la conception et le passage à la production de masse constitue un atout, et le groupe pourrait à l'avenir combler une partie de son retard en utilisant des équipements de fabrication produits en Chine.
Sur fond de hausse des investissements dans l'IA, les prix mondiaux de la DRAM ont progressé d'environ six fois au cours de l'année écoulée, soutenant les revenus de grands acteurs américains des semi-conducteurs comme Micron. Si CXMT accroît sa capacité de production, provoque une baisse des prix et rattrape rapidement son retard technologique, il pourrait aussi représenter une menace pour l'industrie américaine des semi-conducteurs.
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