La matriz de CXMT, cuarta del mundo en DRAM, debutará el 27 en el Star Market

2026-07-26

ChangXin Technology Group saldrá a bolsa en Shanghái el 27

ChangXin Technology Group, matriz de ChangXin Memory Technologies (CXMT), debutará el 27 en el mercado para empresas tecnológicas emergentes de la Bolsa de Shanghái, el Star Market, mediante una oferta pública inicial (OPI). La operación prevé captar hasta 66.600 millones de yuanes (unos 1,6 billones de yenes). CXMT tiene la cuarta mayor capacidad de producción mundial en DRAM, usada en ordenadores personales y otros dispositivos, y algunas previsiones apuntan a que a finales de 2026 se acercará a Micron Technology, la empresa estadounidense que ocupa el tercer puesto.

La capacidad de DRAM es la cuarta del mundo

La DRAM es un semiconductor de memoria que almacena datos de forma temporal y se utiliza en una amplia gama de equipos, como servidores para inteligencia artificial, ordenadores personales y teléfonos inteligentes. La demanda está aumentando a escala mundial por el incremento de la inversión en IA. Tras Samsung Electronics, líder mundial; SK Hynix, segunda; y Micron, tercera, CXMT ostenta la cuarta mayor cuota.

Morgan Stanley dijo en un informe de junio que CXMT elevará en 388.000 obleas al mes su capacidad de producción de DRAM durante los cinco años de 2023 a 2028, y que la cuota conjunta de los fabricantes chinos pasará de alrededor del 18% en 2023 a cerca del 23% en 2028. El analista de Counterpoint Research, MS Hwang, afirmó el día 16 que la capacidad mensual de CXMT podría superar las 300.000 obleas antes de fin de año y situarse en niveles cercanos a los de Micron.

Aún persiste distancia tecnológica

Sin embargo, en el terreno tecnológico todavía persiste una distancia frente a grandes grupos como Micron. Cuanto más se miniaturizan los circuitos de los semiconductores, más memoria puede producirse a partir de una oblea del mismo tamaño. Por ello, para medir la competitividad, además de la capacidad de producción, cobra importancia el 'rendimiento en bits', que indica cuánta memoria puede fabricarse a partir de una sola oblea.

Hwang señaló que CXMT utiliza una tecnología de fabricación retrasada dos o tres generaciones frente a los fabricantes de vanguardia, por lo que también existe una gran brecha en rendimiento en bits respecto a los grandes grupos. Mientras Samsung Electronics, SK Hynix y Micron producen DRAM con el nodo más avanzado, '1c', CXMT se encuentra en una fase de transición desde '1a' a su versión más reciente, con un retraso técnico de dos generaciones, o tres años.

La localización de equipos, en el foco

De cara al futuro, la clave para que CXMT pueda alcanzar a los grandes grupos estadounidenses y surcoreanos también en tecnología de miniaturización es el equipo de litografía de ultravioleta extremo (EUV) utilizado para fabricar semiconductores avanzados. El equipo es desarrollado por la neerlandesa ASML.

Las restricciones a la exportación a China de los equipos de litografía EUV de ASML se han endurecido. Esto se debe a que el Gobierno de Estados Unidos ha impuesto controles a la exportación hacia China sobre tecnologías avanzadas de semiconductores, y los fabricantes chinos están respondiendo con la localización de los equipos de producción.

El analista de semiconductores Jim Handy destaca que entre los ingenieros de CXMT hay antiguos empleados de la desaparecida fabricante europea de DRAM Qimonda. Considera que su experiencia en diseño y en la transición a la producción en masa es una ventaja, y que en adelante la empresa podría recortar distancias mediante la miniaturización con equipos de fabricación nacionales.

Impulsados por el aumento de la inversión en IA, los precios mundiales de la DRAM han subido cerca de seis veces en el último año, lo que ha reforzado los ingresos de grandes fabricantes estadounidenses de semiconductores como Micron. Si CXMT amplía su escala de producción y provoca una caída de precios, y además acelera su avance tecnológico, también supondrá una amenaza para la industria de semiconductores de Estados Unidos.

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